本文采用电磁场全波解算器和电路分析软件相结合的方法分析了不完整屏蔽腔内射频有源电路的辐射敏感度。首先将射频有源电路分解为无源电路和不完整屏蔽腔与非线性器件两个部分，采用HFSS对外来电磁干扰与不完整屏蔽腔中无源电路间的耦合进行仿真。然后，将辐射电磁干扰的影响等效为附加的端口感应电压，在ADS中分析非线性器件的性能变化。通过对一个典型的不完整屏蔽腔内功率放大电路的仿真分析，表明外加辐射电磁场会导致功放增益的明显下降。在此基础上，总结了导致功放增益下降的几个重要因素，提出了若干个改善措施并通过相应的仿真分析结果验证了有效性。