在固态毫米波功率放大器设计中,单片MMIC输出功率较小,提高系统功率的有效方法是采用功率合成技术,目前的功率合成技术存在的设计难点是提高各分配支路间的隔离度和分配支路端口的匹配度。本文基于对两路H-T结构和四路H-T结构的分析和改进,提出了两种高隔离度高分配端口匹配度的功率分配/合成结构。经全波电磁场Ansoft HFSS仿真测试,一种结构在28-32GHz的频带内四等分支路之间的隔离度好于-12dB,支路端口回波损耗优于-15dB,另一种结构可以在28-32GHz的频带内可以得到好于-10dB的隔离度,且其中两路隔离可以达到-25dB,这两种结构可以很好地满足了实际应用的要求。