北京有色金属研究总院采用材料晶体生长多场分析软件FEMAG/CZ对φ300mm直拉硅单晶生长过程中的微缺陷浓度和分布进行了模拟，分析了CUSP磁场，晶体生长速度和热屏位置对硅单晶中微缺陷的影响，并通过热场改进来降低其对硅单晶质量的影响。模拟考虑了磁场强度、热传导、热辐射和气体、熔体对流等物理现象，采用有限元算法，以热动力学第一定律即热能守恒定律，和动量守恒定律作为控制方程，计算了晶体生长速度，热屏位置，CUSP磁场不同通电线圈距离和不同通电线圈半径条件下硅晶体内微缺陷浓度和分布情况。