FEMAG超纯单晶硅区熔法解决方案.pdf

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文集编号: 2015031207409

文档介绍

普通的单晶硅晶体生长方法或多或少都会引入少量杂质,但是区熔法是一种比较特殊的高纯度单晶生长技术。由于其本身也是一种提纯的方法,因此用区熔法来制备超纯单晶硅非常适合。

区熔法晶体生长技术工业上被称为悬浮区熔法,简称区熔法(FZ),这种技术是指在气氛环境或真空的炉室中,利用高频线圈在单晶籽晶和其上方悬挂的多晶硅棒的接触处产生熔区,然后使熔区向上移动进行单晶生长。由于硅熔体完全依靠其表面张力和高频电磁力的支托,悬浮于多晶棒与单晶之间,因此不需要坩埚等其他载体,这是区熔法最显著的特征之一。

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高华华编辑

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