目前针对不同的晶体，通常都有多种生长工艺和方法可供选择，不同的晶体生长方法之间原理想通但是略有差别，可以分为气相法，溶液法，熔体法，外延法等，应用比较广泛和成熟的是熔体生长法。比较典型的熔体生长技术主要包括提拉法（CZ），泡生法（Ky），定向凝固法（DS），区熔法（FZ），坩埚下降法（VGF），热交换法（HEM）等。此外非熔体生长技术今年来也有很大的发展，例如气相法中发展比较快的物理气相传输法（PVT）是生长SiC等晶体的主要方法。