GaN半导体材料为直接带隙材料,在信息显示和固态照明等领域具有广阔的应用前景。相对于蓝宝石衬底而言,Si作为GaN蓝光LED衬底有许多优点,如:良好的导电、导热性、晶体质量高、尺寸大、成本低、容易加工等。然而由于Si衬底与GaN外延层之间巨大的晶格失配和热失配,这使Si衬底上的GaN材料产生大量的位错及裂纹,为Si衬底上GaN材料生长设置了障碍。近几年来,在Si衬底上生长GaN取得了很大的进展,有少数几家研究组报道在Si衬底上制备出了GaN基发光器件。但对其LED器件的性能的研究并未深入,本论文主要研究了Si衬底GaN蓝光LED器件的一些性能:可靠性,结温特性,Ⅰ-Ⅴ曲线与其结晶性能关系。