近几年来，在硅（Si）衬底上生长GaN材料已经取得了很大的进展，并已制作出实用化的Si衬底GaN基蓝绿光发光二极管（LED）。众所周知，器件的可靠性直接关系到技术的商业价值与产业化，因此，Si衬底GaN基LED的可靠性研究就显得特别重要。尽管关于蓝宝石（Al2O3）或碳化硅（SiC）衬底GaN基LED可靠性研究的报道已有不少，但Si衬底GaN基LED作为一种全新的产品，对其可靠性特别是抗静电能力的研究还鲜见报道。本论文主要对Si衬底GaN基LED的发光性能、电流加速老化、静电对老化寿命的影响等方面进行了研究，获得了如下一些有意义和部分有创新性的结果：1．研究了室温时Si衬底GaN基上下结构蓝光LED特征参数随电流的变化关系，EL积分强度与峰值波长随电流的变化关系，并与Al2O3衬底GaN基LED进行了对比。结果发现，室温时峰值波长随电流的增加都是先红移后蓝移，本文认为，这种现象是有源InGaN层的带填充效应与样品内热效应的竞争机理所导致的。