氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)以其发光效率高、使用寿命长等优点现已在普通照明应用中推广,而单晶硅是目前工艺最成熟,价格最便宜,能获尺寸最大的半导体材料,因此在Si衬底上外延生长GaN薄膜已经成为了当前的研究热点,并逐步走向成熟。GaN基LED工作在较高的注入电流密度下时,发光的量子效率会随着电流密度的增大而下降(droop效应),如何解决droop效应,降低LED在普通照明应用中的成本,已成为目前国内、外亟待攻克的难关。本论文利用MOCVD在Si衬底上制备GaN基LED样品,主要在以下五个方面研究了LED的发光特性：1、研究了压电极化对LED发光峰的影响。由在Si衬底生长的GaN基单阱和多阱蓝光样品发光的变温电致发光(EL)谱显示：在压电极化不会被屏蔽的低电流密度注入下,LED的发光波长随着工作温度下降出现红移,表明压电极化对LED发光主波长的影响超过了量子阱的禁带带隙随温度下降而增大的影响幅度。